EANS-News: PVA TePla AG Hohe Zelleffizienz und niedrige Betriebskosten -
Voraussetzungen für langfristigen Erfolg in der Photovoltaikindustrie
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Forschung/Entwicklung
Wettenberg (euro adhoc) - (Wettenberg, 13. März 2012) - Vor dem Hintergrund der
aktuell schwierigen Lage der Photovoltaikindustrie, die durch Überkapazitäten
und damit verbunden starkem Preis- und Margendruck gekennzeichnet ist, wird der
Erhöhung der Zelleffizienzen ein besonders hohes Potential zur Optimierung der
"Cost of Ownership" (CoO) zuerkannt. In diesem Kontext hat die PVA TePla AG,
Wet-tenberg - Deutschland, ein führender Hersteller von Anlagen zur Herstellung
von monokristallinen Siliziumkristallen nach der Czochralski-und Floatzone
Methode, seine Anlagentechnologie zur Züch-tung von Kristallen in Zusammenarbeit
mit Kunden, Kooperations-partnern und Forschungszentren aus der
Photovoltaikindustrie konsequent weiterentwickelt.
Neben erheblichen Verbesserungen der etablierten Czochralski-Technologie in
Hinblick auf verkürzte Prozesszeiten und geringere Prozesskosten, erreich-bar
durch Erhöhung der Kristallisationsgeschwindigkeit bzw. einer effizienteren
Nutzung von Ausgangs und Verbrauchsmaterialien, fokussieren neuere Entwicklungen
auf das Floatzone-Verfahren zur Herstellung von hochreinem, monokristallinem
Silizium für Solaranwendungen.
Die Floatzone-Technologie wurde ursprünglich für die Halbleiterherstellung
entwickelt und hat in den letzten Jahren zunehmend an Bedeutung gewonnen. Mit
der Floatzone-Technologie werden die besonders hohen Reinheitsanforderungen an
monokristallines Silizium erreicht, die beispielsweise benötigt werden, um
elektronische Bauelemente für Hochleistungsanwendungen zu produzieren.
Mit einer für die Photovoltaikindustrie optimierten Kristallzuchtanlage, die
monokristalline Siliziumkristalle nach dem Floatzoneverfahren ziehen kann,
stehen nun industriell verfügbare Standardanlagen für die Produktion bereit, mit
denen zukünftigen Anforderungen photovoltaischer Stromerzeugung ent-sprochen
werden kann. Nur mit sehr gutem Wafermaterial lassen sich im Zuge des immer
komplexer werdenden Fertigungsprozesses in der Solarindustrie die höchsten
Effizienzen realisieren. Hierfür sind eine über den gesamten Siliziumkristall
hinweg gleichbleibend hohe Qualität sowie gleichzeitig eine hohe Reinheit des
Kristalls erforderlich. Mit dem Floatzoneverfahren kann eine Anlagentechnologie
für die Kristallzüchtung in der Photovoltaikindustrie angeboten werden, die
hervorragende Zelleffizienzen und niedrige Betriebs-kosten bietet.
Das Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP in Halle sowie das
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) und Industriepartner arbeiten im
Rahmen des vom BMBF (Bundesministerium für Bildung und Forschung) geförderten
Exzellenzclusters weiter intensiv mit Kristallzuchtanlagen der PVA TePla und
bestätigen u.a. die sehr gute Effizienz der Floatzone - basierten Zellen.
Rückfragehinweis:
Dr. Gert Fisahn
Telefon: +49(0)641 68690-400
E-Mail: gert.fisahn@pvatepla.com
Ende der Mitteilung euro adhoc
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Unternehmen: PVA TePla AG
Im Westpark 10-12
D-35435 Wettenberg
Telefon: +49(0)641 68690-0
FAX: +49(0)641 68690-800
Email: ir@pvatepla.com
WWW: http://www.pvatepla.com
Branche: Misc. Industrials
ISIN: DE0007461006
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