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Infineon Technologies AG

Am Start zu einer neuen Computer-Revolution - Infineon präsentiert den weltweit leistungsfähigsten Magnetic-RAM Prototypen

München (ots)

Computer, die ihre Daten auch bei einem
Stromausfall behalten; Laptops, deren Batterien tagelang ohne
Nachladen Strom liefern; Pocket-Computer und Mobiltelefone mit
riesigen Datenspeichern; Personal Computer, die auf Knopfdruck genau
an der Stelle beginnen, wo man zuletzt mit der Arbeit aufgehört hat -
dieser Traum von einer Computerwelt könnte Wirklichkeit werden.
Die Voraussetzung dafür bieten neuartige Speichertechnologien, an
denen intensiv geforscht wird, wie beispielsweise die
MRAM-Technologie. Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon hat auf
dem VLSI Symposium in Hawaii gemeinsam mit IBM den bisher
leistungsfähigsten Prototypen dieses revolutionären Speicherchips
vorgestellt: Den ersten 16-Mbit-Magnetoresistive-RAM-Prototypen
(MRAM).
MRAM-Chips speichern die Informationen mit einer magnetischen
Ladung und nicht mehr, wie herkömmliche Speicherchips in elektrischen
Ladungen. Während die Arbeitsspeicher von Computern bislang ständig
unter Strom gehalten werden müssen, bleiben die Informationen auf
MRAM-Speichern auch nach dem Ausschalten erhalten, vergleichbar mit
der Festplatte eines Rechners. Zudem sind sie sehr schnell und
erlauben damit den nahezu unmittelbaren Zugriff auf das
Speichermedium. Zum Vergleich: Im Gegensatz zu den bisher in
USB-Sticks, Pocket-Computern oder Digitalkameras verwendeten
nicht-flüchtigen Flash-Speichern, ist der 16-Mbit-MRAM-Chip von
Infineon etwa 1000-mal schneller. Überdies kann man in einer MRAM
Speicherzelle bis zu 1 Million-mal öfter Informationen speichern als
bei Flash-Bausteinen.
Die hohe Speicherkapazität des 16-Mbit-Chips wurde durch die
Verwendung einer 1,4 Quadratmikrometer kleinen Zelle (das entspricht
16 Millionen Einzelzellen) erreicht. Im Vergleich hätten auf der
Querschnittsfläche eines Haares 5000 Speicherzellen Platz.
"Die Ankündigung des weltweit ersten
16-Megabit-MRAM-Speicher-Prototypen" sagte Dr. Wilhelm Beinvogl,
Chief Technology Officer des Geschäftsbereichs Speicherprodukte bei
Infineon Technologies, "ist ein bedeutender Durchbruch in der
Entwicklung dieser neuen Technologie."
Angesichts der immensen Vorteile hat MRAM aus heutiger Sicht das
Potenzial in einigen Jahren Einzug in viele Speicher-Applikationen zu
halten.
Infineon hat die MRAM-Chips seit dem Jahr 2000 in Kooperation mit
IBM entwickelt. Die Technologie wurde vor kurzem an Altis, einem
Joint Venture der beiden Unternehmen in Frankreich, transferiert.
Die Benutzer würden nicht nur vom Wegfall der lästigen
Anlaufpause, in der bislang nach dem Anschalten das Betriebssystem
von der Festplatte in den Arbeitsspeicher geladen wird, profitieren.
Weitere Vorteile wären die grössere Bequemlichkeit, da der Speicher
den momentanen Stand der Arbeit automatisch behält, und vor allem
längere Batterielaufzeiten in mobilen Geräten - vom Laptop bis zum
Handy - da MRAM-Chips durch die Nichtvolatilität weniger Strom
verbrauchen als herkömmliche DRAMs. Auf lange Sicht könnten
MRAM-Chips wohl auch die Computer-Architektur verändern, die seit den
Kindertagen der schnellen Rechner vor allem durch die Aufgabenteilung
zwischen dem schnellen, aber flüchtigen Arbeitsspeicher und dem
langsamen, aber dauerhaften Massenspeicher geprägt ist.
Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und
Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für
Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile
Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und
steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im
asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit
weltweit rund 32.300 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr
2003 (Ende September) einen Umsatz von 6,15 Milliarden Euro. Das
DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol
"IFX" notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.
Diese Presseinformation und Fotos finden Sie unter   
www.infineon.com/press_deutsch/.

Kontakt:

Infineon Technologies AG
Technology Communications
Karin Bräckle
Tel. +49/89/234-28011
Fax +49/89/234-28482
E-Mail: karin.braeckle@infineon.com

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